하만 세미콘 아카데미 4기에서 진행한
Not, Nand, Nor Gate Stick Diagram과 Layout을 그려보도록 하겠습니다.
LVS와 DRC를 모두 확인했고, Stick Diagram의 대칭 형태로 그린 것이 많습니다.
아래의 게시물에서 각 Logic Gate에 맞는 Pmos의 Width 값을 찾았고 이를 바탕으로 Stick Diagram과 Layout을 그립니다.
https://semiconwide.tistory.com/53
Not Gate
Nand Gate
(1) 2-Input Nand Gate
위 사진을 보시면 1번과 2번 형태로 나옵니다. 결론적으로는 1번의 형태가 좋은데 그 이유는 기생 캐패시터 때문입니다.
아래 그림을 보시면 diffusion 영역에서는 기생 캐패시터가 형성됩니다. 즉 diffusion이 많을수록 캐패시터의 병렬 연결로 값이 커집니다. 그렇게 되면 delay = RC에서 C값이 커지게 되므로 delay가 커지게 됩니다.
따라서 diffusion 영역을 최소화해야 합니다. 이후 다른 Gate 또한, diffusion 영역이 최소가 되도록 배선도를 만들었습니다.
(2) 3-Input Nand Gate
(3) 4-Input Nand Gate
Nor Gate
(1) 2-Input Nor Gate
(2) 3-Input Nor Gate
(3) 4-Input Nor Gate
드디어 Stick Diagr am대로 그려진 Gate입니다.
칩 면적이 최소화되도록 그리면서 얻은 점
1. 큰 면적을 차지하는 부품부터 배치를 맞춘다.
- 나중에 큰 면적을 차지하는 부분에서 수정이 필요하면 나머지 부분 전체를 수정해야 한다. 심할 경우 차라리 다시 그리는 것이 나을 정도로 그 과정이 너무나 험난하다.
2. 반드시, 한쪽 방향으로 그림을 그려나간다.
- 양쪽을 동시에 그리다가 수정할 방향이 나오지 않으면 둘 중 한쪽을 깡그리 수정해야 한다. 꼭 마진이 남도록 한 방향으로 그려나간다.
읽어주셔서 감사합니다.
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